光耦合器的加速也可降低功耗

2021-09-01 13:57 亚博取现到账超快

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本文摘要:危害规范光耦合器速率的关键要素是光学晶体三极管,其反应速率较为较快。文中将在LED驱动尾端加到部件,以提升 光耦合器的速率。 R1为详细LED电阻,在提升附加电路以前用以。 因为起动速率主要是由添加的电路规定,因而实际上R1的值能够低一些,进而有利于节约能源,并以功率较低的控制器驱动器LED。 图1:与比较简单地根据电阻驱动器LED相比,加快电路不但降低了降低輸出数据信号的快速传播,仍在加快全过程中降低了功能损耗。

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危害规范光耦合器速率的关键要素是光学晶体三极管,其反应速率较为较快。文中将在LED驱动尾端加到部件,以提升 光耦合器的速率。  R1为详细LED电阻,在提升附加电路以前用以。

因为起动速率主要是由添加的电路规定,因而实际上R1的值能够低一些,进而有利于节约能源,并以功率较低的控制器驱动器LED。  图1:与比较简单地根据电阻驱动器LED相比,加快电路不但降低了降低輸出数据信号的快速传播,仍在加快全过程中降低了功能损耗。  开启加快机器设备(turn-onspeed-updevice)是一个射极追随着器(EmitterFollower)NPN晶体三极管Q1。

该箭趋于追随着器的射极电阻器分为底位值REL和上位值REH,与电容器C串联。当输出电压VIN大幅上升,原始仍未充电电池的电容器C将再次少(short)REH。因而,流过LED的射极电流量降低:  电流量IE不应该高达五十米A。VIN值经常会出现阶跃时,电容器C随稳态值=RELC正圆形指数级充电电池。

电容器C的初值依照下列公式计算来推算出来:  在其中,tr0为未充电电池的光耦合器键入的增益值。  推算出来下结论的电容器数值13nF,导致键入工作电压VOUT高达标准值。

因而,实验确定的电容器C相对值不正确1.5nF,这时键入工作电压VOUT仅有远远超过标准值2%,彻底能够忽略。肖特基(Schottky)二极管D1和D2可协助电容器C比较慢静电感应,搭建輸出上升沿(inputfalling-edge),另外在Q1和LED的基极-射极相接处诱发偏位偏压。  在Vcc= 9V,输出电压为0~ 3V状况下对电路进行检测。結果为:开启时间延迟tdr=0.5s;初始打开时间ton=tdr tr=2.8s。

针对无加快电路(R1=3.8k)的光耦合器,开启时间延迟和初始打开时间各自为3.2s和10.8s。  从而能够得到 下列结果:因为加快电路的不会有,降低沿时间延迟增加至未修改光纤耦合器的六分之一,打开时间增加至原来值的约四分之一。

注意:与IC1数据分析表上列出的5mA相比,下结论这种結果的前提条件是把LED的反过来电流量降低至0.5mA。


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